| Kods | MFZ666 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nosaukums | Pusvadītāju materiāli un ierīces | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Statuss | Obligātais/Ierobežotās izvēles | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Līmenis un tips | Doktora, Akadēmiskais | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tematiskā joma | Fizika | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Struktūrvienība | Dabaszinātņu un tehnoloģiju fakultāte | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mācībspēks | Artūrs Medvids | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kredītpunkti | 5.0 (7.5 ECTS) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Daļas | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Anotācija |
Studiju priekšmets „Pusvadītāju materiāli un ierīces„ ir balstīts uz fizikas, ķīmijas un pusvadītāju tehnoloģiju sasniegumiem. Tajā parādīts, kā pusvadītāju kristāliskā uzbūve un zonas struktūra, kā arī to tehnoloģija ietekmē pusvadītāju īpašības.Cietvielu zonu struktūra: metālu, pusvadītāju un dielektriķu. Kristāliskā režģa svārstības. Fononi. Elektroniskie stāvokļi. Kinētiskās parādības. Fermi virsmas. Pusvadītāju diode, tranzistors, lauku tranzistors, gaismas un foto diodes.Elementāro pusvadītāju Si, Gr, un C kristālisko režģu uzbūve un zonas struktūras. Divkomponentu pusvadītāju kristālisko režģu uzbūve un zonas struktūra. Cietšķīdumu kristālu audzēšanas tehnoloģijas u to fizikālās īpašības. Kvantu ierobežojuma efekts un tā īpašības pusvadītājos.. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Studiju kursa saturs |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Mērķis un uzdevumi, izteikti kompetencēs un prasmēs |
Orientēties pusvadītāju modernajās tehnoloģijās, to kristāliskās un zonu struktūrās. Prast prognozēt pusvadītāju fizikālās īpašības un ierīču parametru izmaiņu atkarībā no to tehnoloģijām. Spēt pamatot dažādu ierīču pielietošanas iespējas. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sasniedzamie studiju rezultāti un to vērtēšana |
Spēj izskaidrot fizikālos efektus, kas rodas pusvadītāju modernajās tehnoloģijās un struktūrās. - Pārbaudes veidi: kontroldarbi, mājas darbi un referāti. Eksāmens. Kritēriji: prot izskaidrot fizikālos efektus, kas tiek novēroti pusvadītāju struktūrās un modernajās tehnoloģijās. Spēj noteikt nanostruktūras veidošanas tehnoloģijas. - Pārbaudes veidi: kontroldarbi, mājas darbi un referāti. Eksāmens. Kritēriji: var identificēt tehnoloģiju, ar kuru veidota noteikta nano- un mikro-struktūra. Spēj izvēlēties pusvadītāju nano- un mikro-struktūru veidošanai paņēmienu atkarībā no dotā uzdevuma. - Pārbaudes veidi: kontroldarbi, mājas darbi un referāti. Eksāmens. Kritēriji: var izvēlēties optimālo nano- un micro-struktūru veidošanas paņēmienu. Spēj izvēlēties lāzera starojuma parametrus nano- un mikro-struktūru veidošanai atbilstošam pusvadītājam. - Pārbaudes veidi: kontroldarbi, mājas darbi un referāti. Eksāmens. Kritēriji: prot izvēlēties lāzera starojuma parametrus, lai iegūtu nanostruktūras. Spēj pamatot pusvadītāju struktūru pielietojumu tehnikā. - Pārbaudes veidi: kontroldarbi, mājas darbi un referāti. Eksāmens. Kritēriji: prot atrast pielietojumu tehnikā un modernajās tehnoloģijās. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Priekšzināšanas | augstākā matemātika, cietvielu fizika, pusvadītāju fizika. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Studiju kursa plānojums |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||