REA603 Planārās elektronikas tehnoloģija

Kods REA603
Nosaukums Planārās elektronikas tehnoloģija
Statuss Obligātais/Ierobežotās izvēles
Līmenis un tips Doktora, Akadēmiskais
Tematiskā joma Elektronika un telekomunikācijas
Struktūrvienība Datorzinātnes, informācijas tehnoloģijas un enerģētikas fakultāte
Mācībspēks Jānis Jankovskis
Kredītpunkti 4.0 (6.0 ECTS)
Daļas 1
Anotācija Pusvadītāju materiāli un to sagatavošana struktūru veidošana. Planārā tehnoloģija un tās perspektīvie virzieni. Struktūru veidošana augsto frekvenču diapazonam; submikronās tehnoloģijas litogrāfijas veidi..
Studiju kursa saturs
Saturs Pilna un nepilna laika klātienes studijas Nepilna laika neklātienes studijas
Kontaktstundas Patstāvīgais darbs Kontaktstundas Patstāvīgais darbs
1. Integrālo mikroshēmu (IMS) veidi. Planārā elektronika un tās tehnoloģiskie procesi. Metalizācija. 4 0 0 0
2. Metalizācijas procesa tenholoģija. Metālisko kārtīņu veidošaās mehānisms. Materīālu izputināšana ar joniem. 4 0 0 0
3. Magnetrona tipa izputināšanas sistēma. Dielektrisko materiālu izputināšana. Plāno kartiņu rezistori un kondensatori. 4 0 0 0
4. Tehnoloģiskā procesa kontrole: kapacitatīvā, jonizācijas un rezistīvā metodes. Silīcija oksidēšana. 4 0 0 0
5. Silīcija virsmas aizsardzība. Silīcija oksīda kvalitātes kontrole. Silīcija leģešana. 4 0 0 0
6. Difūzijas procesa matematiskais apraksts - Fika vienādojumi. Difūzijas procesa tehnoloģija. 4 0 0 0
7. Silīcija leģēšana ar piemaisījumu atomujoniem. p-n pārejas atrašanās vietas noteikšana. 4 0 0 0
8. Silīcija epitaksija un tās veidi. Epitaksijas un difūzijas procesu vērtējums. 2 0 0 0
9. IMS zīmējuma veidošana: brīvo masku un litogrāfijas metodes. Fotolitogrāfijjas metode. Fotorezisti. 4 0 0 0
10. Attēlu ģeneratori: stara skanēšana un mikrofotomontāža. 2 0 0 0
11. Mikrostruktūru veidošana kodinot ar joniem. Kontaktmaskas veidošana. 4 0 0 0
12. Mikrostruktūru veidošana: elektrostaru, rentgenstaru un jonu litogrāfijas veidi. 4 0 0 0
13. Pasīvie elementi pusvadītāju IMS. Elementu izolācijas veidi. 4 0 0 0
14. Unipolāro IMS izgatavošanas tehnologija. Bipolāro IMS fragmenta izgatavošanas tehnoloģija. 4 0 0 0
15. IMS uz Gallija Arsenīda bāzes. 4 0 0 0
16. Iepazīšanās ar mikroshēmu laboratorijas aprikojumu un mnikroshēmu paraugiem. 4 0 0 0
17. Laboratorijas darbs - plāno kārtiņu kondensatoru izgatavošana. 2 0 0 0
18. Laboratorijas darbs - fotolitogrāfijas tehnoloģija. 2 0 0 0
Kopā: 64 0 0 0
Mērķis un uzdevumi, izteikti
kompetencēs un prasmēs 		Planārās tehnoloģijas apguve tāda pakāpē, lai varētu veidot pusvadītāju integrālo mikroshēmu struktūras.
Sasniedzamie studiju
rezultāti un to vērtēšana 		Spēja izvēlēties nepieciešamos tehnoloģiskos procesus, lai veidotu IMS struktūras - Vērtējums lab. darbos un ieskaitē.
Spēja brīvi orientēties IMS tehnoloģiskajās shēmās - Vērtējums lab. darbos un ieskaitē.
Spēja nopamatot izvēlēto IMS struktūru nepieciešamību - Vērtējums lab. darbos un ieskaitē.
Spēja paskaidrot izveidoto struktūru darbības principus - Vērtējums lab. darbos un ieskaitē.
Priekšzināšanas Bakalaura darbs
Studiju kursa plānojums
Daļa KP EKPS Stundas nedēļā Pārbaudījumi
Lekcijas Prakt. d. Lab. Ieskaite Eksāmens Darbs
1 4.0 6.0 2.0 0.0 2.0 *
Pieteikties uz šo kursu
[Kursa apraksts PDF formātā]