Kods | REA506 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Nosaukums | Cietvielas elektronikas elementi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Statuss | Obligātais/Ierobežotās izvēles | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Līmenis un tips | Augstākā līmeņa, Akadēmiskais | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tematiskā joma | Elektronika un telekomunikācijas | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Struktūrvienība | Datorzinātnes, informācijas tehnoloģijas un enerģētikas fakultāte | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mācībspēks | Arnis Gulbis | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kredītpunkti | 3.0 (4.5 ECTS) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Daļas | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Anotācija |
Cietvielas atomāri-kristāliskā un mikrostruktūras. Mikropasaules īpatnības un likumsakarības. Elektroni kā daļiņas un kā viļņi. Elektroni atomos un kristālos. Zonu struktūras, lādiņnesēju statistikas. Pusvadītāju pārejas, bipolārās unipolāras (lauka efekta) ierīces. Nanoelektronika.. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Studiju kursa saturs |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mērķis un uzdevumi, izteikti kompetencēs un prasmēs |
Pietiekami plaši pārzināt cietvielas un mikropasaules likumības, nolūkā tās pielietot makro-, mikro- un nanoelektronikas ierīcēs. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sasniedzamie studiju rezultāti un to vērtēšana |
Pārzina cietvielas elektronsistēmas īpašības un spēj to izmantot makro-, mikro- un nanoelektronikas ierīču apguvei un praktiskai pielietošanai - Gala vērtējums eksāmenā rezultējas no cietvielas teorijas un elektronierīču apguves līmeņu vērtējuma. Izprot mikropasaules likumsakarības, tuneļefektu un lauka efektu - Gala vērtējums eksāmenā rezultējas no cietvielas teorijas un elektronierīču apguves līmeņu vērtējuma. Jāprot skaidrot zonu diagrammas, lādiņnesēju (mikrodaļiņu) statistikas un procesus - Gala vērtējums eksāmenā rezultējas no cietvielas teorijas un elektronierīču apguves līmeņu vērtējuma. Spējt attēlot un skaidrot diožu (parasto, tuneļrezonanses, gaismas), bipolāri un unipolāru tranzistoru, homo- un heteropāreju lāzeru potenciāldiagrammas - Gala vērtējums eksāmenā rezultējas no cietvielas teorijas un elektronierīču apguves līmeņu vērtējuma. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Priekšzināšanas | RSF bakalauru programmas | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Studiju kursa plānojums |
|